根据法国市场研究机构 KnowMade 最新的碳化硅（SiC）知识产权（IP）报告，2021 年至 2023 年期间，中国参与者披露的 SiC 发明专利数量增加了约 60%，是全球主要国家和地区中增长最快的，同时也是专利申请量最多的。
如果仅看 2023 年，在全球 SiC 专利申请中，超过 70% 都来自于中国实体。
激烈的市场竞争和地缘政治紧张局势推动 SiC 供应链专利增长
KnowMade 注意到，自 2021 年以来，与 SiC 器件相关的专利申请活动中出现了有趣的动态。例如，2023 年披露的 SiC 发明专利数量比 2021 年高出了 50% 以上。一些现有专利持有人有效地扩大了其碳化硅发明的覆盖范围。
随着 SiC 功率器件在电动汽车（EV）中大规模采用的前景，SiC 公司开始在该行业的战略区域申请越来越多的专利。与此同时，快速增长的 SiC 市场的几家先驱已经加速了他们的专利活动，预计 SiC 行业领域将有许多挑战者进入（图 1）。
事实上，专利可以在竞争激烈的环境中维护 SiC 公司的市场地位方面发挥关键作用。如图 1 所示，在全球 SiC 相关专利拥有者中，三菱电机无疑是领导者，而从新的 SiC 专利申请增长来看，DENSO、ROHM、意法半导体、HITACH 增长都比较快。
在中美贸易战的影响下，在最近的 SiC 专利申请量增长方面也发挥了积极的作用，推动了众多企业在全球范围内（尤其是中国）建立更本地化的 SiC 供应链。
2019-2023 年全球碳化硅专利申请量的年复合增长率高达 26%。
中国在 SiC 专利申请中占主导地位
2021 年至 2023 年期间，中国参与者披露的 SiC 发明专利数量增加了约 60%（图 2），是全球主要国家和地区中增长最快的，同时也是专利申请量最多的。如果仅看 2023 年，在全球 SiC 专利申请中，超过 70% 都来自于中国实体。
实际上，参与 SiC 研发活动的中国公司和研究机构的数量也在快速增长，自 2022 年以来，中国拥有 SiC 衬底专利的公司新增了超过 25 个，拥有 SiC 器件专利新公司增长了 50 个。这种密集的本地生态系统使中国能够快速解决 SiC 晶圆行业的自主问题。
随着 SiC 晶圆的持续供应过剩，中国在 SiC 晶圆市场带来了激烈的价格竞争，这也为 SiC 晶圆供应商提供了更有理由利用其专利来对抗其主要竞争对手。
报告还指出，这些 SiC 专利申请的地理分布也反映了 SiC IDM 公司之间的一些差异，突出了不同市场对每家公司
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